消息称三星电子 V9 QLC NAND 闪存尚未获量产就绪许可，影响平泽 P4 工厂…

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IT之家 7 月 31 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版本尚未获得量产许可，对平泽 P4 工厂的产线建设规划造成了影响。三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（IT之家注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。▲ 三星电子平泽园区根据三星电子此前的规划，平泽 P4 工厂将成为一个综合性的半导体生产中心，其包含四个阶段，可制造逻辑、NAND、DRAM 等产品，其中 P4 工厂的