迈向 3D 内存：三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacked-Cell Array Transistor，垂直堆叠单元阵列晶体管） DRAM。前者主要是在 DRAM 单元结构上向 z 方向发展，后者则是类似 3D NAND 一样堆叠多层 DRAM。▲ 图源 Semiconductor Engineering市面现有的 DRAM 内存采用 6F2结构，换用 4F2 结