消息称 SK 海力士测试东京电子低温蚀刻设备，有望简化闪存生产

IT之家 5 月 7 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士正向东京电子（TEL）发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来 NAND 闪存生产中导入。目前，提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速度也随之降低。厂商不得不考虑将整体 NAND 闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。不过多堆栈结构在键合过程中引入了对齐等新问题，性能、能效也有所下降。东京电子的新型低温蚀刻设备工作环境温度为-70℃，明显低于现有蚀刻设备的 0~30℃。参考IT之家去年报道，新设备可在 33 分钟内蚀刻 10 微米，比现有设备快 3 倍以上；同时东京电子的低温蚀刻设备采用氟化氢（HF）气体，相较传统系统使用的氟碳化物气体拥有较低的温室效应，更为环保。▲ 低温蚀刻效果。图源东京电子新闻稿SK 海力士官宣的最新一